Resumen: El MOSFET de silicio ha sido el dispositivo más popular en la fabricación de circuitos integrados las últimas cuatro décadas. A pesar de ello, se pronostica que el mínimo tamaño de este dispositivo alcanzará su límite tecnológico en unos cuantos años. Sin embargo, de momento no hay una alternativa viable que ofrezca las ventajas de la tecnología CMOS.
Quizá tengan que utilizarse dispositivos CMOS hasta sus límites físicos, para lo cual habrá que mantener la reducción de las dimensiones del MOSFET al menos otra década. Esto representa un reto, ya que no todas las compañías tienen la capacidad de desarrollar la tecnología necesaria a tiempo. Esto incrementará considerablemente la competencia entre las compañías fabricantes de semiconductores.
El estado actual de la tecnología de fabricación es el siguiente: debido a la dificultad en la litografía y en mantener la relación entre las corrientes en estados encendido y apagado, la tasa de reducción de la longitud de la compuerta ha sido menos dramática que anteriormente, por lo que se llegará al límite tecnológico mucho después de lo que se esperaba hace años.
Semblanza: El Prof. Hiroshi Iwai recibió su grado profesional y su doctorado de la Universidad de Tokio. Trabajó por más de 25 años en Toshiba y ahora es profesor en el Instituto Tecnológico de Tokio.
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