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Trabajo del INAOE, reconocido como el mejor de ICANS

El cartel “Depósito, caracterización y optimización de películas delgadas de germanio microcristalino”, de los doctores Mario Moreno Moreno, Arturo Torres, Alfredo Morales, Alba Arenas, Pedro Rosales, Alfonso Torres, Carlos Zúñiga, Carlos Ascencio, Wilfrido Calleja y Netzahualcoyotl Carlos, del INAOE, y Javier Flores y Roberto Ambrosio, de la BUAP, fue reconocido como el mejor cartel presentado en la 29th International Conference on Amorphous and Nano-crystalline Semiconductors, que se llevó a cabo del 23 al 26 de agosto pasados en China.

La Conferencia Internacional sobre Semiconductores Amorfos y Nanocristalinos (ICANS) es un excelente espacio para que investigadores académicos, socios industriales y responsables políticos de todo el mundo se reúnan y compartan los últimos avances e ideas sobre los temas de película delgada amorfa y nanocristalina y otros materiales de nanoestructura.

En la actualidad, el silicio microcristalino (?c-Si:H) se ha convertido en un importante material para el desarrollo y fabricación de dispositivos semiconductores de gran área.  El método utilizado para depositar estas películas es por la técnica de depósito químico en fase vapor asistido por plasma (PECVD), a bajas temperaturas empleando una combinación de SiH4 y H2. Actualmente, los transistores de película delgada (TFT) y las células solares de película delgada incorporan películas de ?c-Si:H en sus procesos de fabricación. Sin embargo, para algunas aplicaciones es importante tener semiconductores microcristalinos con mayor absorción infrarroja, como en células solares en tándem y mayor movilidad de los portadores, como en TFTs. Un material menos estudiado es el germanio microcristalino (?c-Ge:H), que es un complemento de ?c-Si:H en algunas aplicaciones.

En el cartel premiado, los autores presentan un estudio del depósito, caracterización y optimización de películas delgadas de germanio (?c-Ge:H) depositadas a una temperatura del sustrato de 200 °C por PECVD. Para ello, estudiaron los principales parámetros de deposición que tienen una fuerte influencia en las propiedades ópticas, eléctricas y estructurales de las películas delgadas microcristalinas. Los resultados muestran las condiciones óptimas de depósito para obtener películas con características estructurales, ópticas y eléctricas muy adecuadas para aplicaciones en dispositivos semiconductores delgados. Además, la baja temperatura de deposición utilizada hace que estos materiales sean adecuados para aplicaciones de dispositivos electrónicos en sustratos flexibles.

Última actualización:
30-09-2022 a las 16:52 por Guadalupe Rivera Loy

 

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