Oficina de Vinculación

Trabajo del INAOE, reconocido como el mejor de ICANS

El cartel “Depósito, caracterización y optimización de películas delgadas de germanio microcristalino”, de los doctores Mario Moreno Moreno, Arturo Torres, Alfredo Morales, Alba Arenas, Pedro Rosales, Alfonso Torres, Carlos Zúñiga, Carlos Ascencio, Wilfrido Calleja y Netzahualcoyotl Carlos, del INAOE, y Javier Flores y Roberto Ambrosio, de la BUAP, fue reconocido como el mejor cartel presentado en la 29th International Conference on Amorphous and Nano-crystalline Semiconductors, que se llevó a cabo del 23 al 26 de agosto pasados en China.

La Conferencia Internacional sobre Semiconductores Amorfos y Nanocristalinos (ICANS) es un excelente espacio para que investigadores académicos, socios industriales y responsables políticos de todo el mundo se reúnan y compartan los últimos avances e ideas sobre los temas de película delgada amorfa y nanocristalina y otros materiales de nanoestructura.

En la actualidad, el silicio microcristalino (?c-Si:H) se ha convertido en un importante material para el desarrollo y fabricación de dispositivos semiconductores de gran área.  El método utilizado para depositar estas películas es por la técnica de depósito químico en fase vapor asistido por plasma (PECVD), a bajas temperaturas empleando una combinación de SiH4 y H2. Actualmente, los transistores de película delgada (TFT) y las células solares de película delgada incorporan películas de ?c-Si:H en sus procesos de fabricación. Sin embargo, para algunas aplicaciones es importante tener semiconductores microcristalinos con mayor absorción infrarroja, como en células solares en tándem y mayor movilidad de los portadores, como en TFTs. Un material menos estudiado es el germanio microcristalino (?c-Ge:H), que es un complemento de ?c-Si:H en algunas aplicaciones.

En el cartel premiado, los autores presentan un estudio del depósito, caracterización y optimización de películas delgadas de germanio (?c-Ge:H) depositadas a una temperatura del sustrato de 200 °C por PECVD. Para ello, estudiaron los principales parámetros de deposición que tienen una fuerte influencia en las propiedades ópticas, eléctricas y estructurales de las películas delgadas microcristalinas. Los resultados muestran las condiciones óptimas de depósito para obtener películas con características estructurales, ópticas y eléctricas muy adecuadas para aplicaciones en dispositivos semiconductores delgados. Además, la baja temperatura de deposición utilizada hace que estos materiales sean adecuados para aplicaciones de dispositivos electrónicos en sustratos flexibles.