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La Sociedad de Dispositivos Electrónicos de la IEEE premia a estudiante del INAOE por artículo de investigación

El estudiante de Doctorado en Electrónica del INAOE Fabián Zárate Rincón, quien tiene como asesores a los doctores Roberto S. Murphy Arteaga y Reydezel Torres Torres, obtuvo el prestigioso premio al mejor artículo en la región de América Latina que otorga la Sociedad de Dispositivos Electrónicos (Electron Devices Society - EDS) de la IEEE.

El artículo, titulado "Modeling the Impact of Multi-Fingering Microwave MOSFETs on the Source and Drain Resistances", fue publicado en la revista IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques por Fabián Zárate Rincón junto con los doctores Roberto S. Murphy Arteaga y Reydezel Torres Torres, del INAOE, Adelmo Ortiz Conde, y Francisco J. García Sánchez, de la Universidad Simón Bolívar de Venezuela.

En entrevista, Fabián Zárate comenta que el artículo se desprende de su trabajo de tesis doctoral. "Mi tesis de grado está relacionada con mediciones en alta frecuencia y posterior caracterización de transistores de Metal Óxido Semiconductor (MOS), que son una pieza fundamental en los circuitos integrados de aparatos electrónicos tales como computadoras y celulares. Esto es importante para determinar los parámetros del dispositivo bajo prueba y proponer mejoras a modelos reportados en la literatura. De hecho, estos modelos son usados por los diseñadores para crear circuitos complejos. Cabe resaltar que el transistor MOS tiene cuatro terminales, fuente, drenaje, compuerta y substrato, y su función en un circuito es actuar como amplificador o interruptor".

Por otra parte, el artículo "está enfocado en el modelado de las resistencias parásitas de las terminales de fuente y drenaje del transistor MOS como función de la geometría y condiciones de polarización. Cabe decir que el transistor para aplicaciones en altas frecuencias está hecho a partir de un conjunto de transistores individuales que están conectados en paralelo. Esto da paso a la reducción de la resistencia de la terminal de compuerta, cuyo efecto ha sido ampliamente estudiado en la literatura. A partir de mediciones experimentales, se observaron cambios tanto en la resistencia de fuente como en la resistencia de drenaje. Estos dos elementos inciden fuertemente en la corriente de drenaje y por consiguiente, afectan la transconductancia y la frecuencia de corte relacionada con la frecuencia máxima a la cual puede operar el dispositivo. Nos dimos cuenta que conforme se aumenta el número de transistores individuales, fijando el ancho total de compuerta en un valor dado, las resistencias parásitas de fuente y drenaje disminuyen, lo cual es un beneficio para el desempeño del dispositivo".

Recientemente, Fabián Zárate hizo una estancia en el IMEC en Bélgica bajo el acompañamiento del Dr. Víctor Hugo Vega González, egresado del INAOE, y su experiencia fue gratificante porque trabajó en el tema de líneas de interconexión, lo que amplió su conocimiento en el área de microelectrónica. "Además de las mediciones de transistores en alta frecuencia, se participó durante el año de estancia en el grupo de integración y caracterización de los procesos de fabricación involucrados en las líneas de interconexión para el nodo de tecnología de 10 nanómetros. Así, se aprendió acerca de los pasos requeridos para llevar a cabo la conexión de transistores en un circuito integrado".

Fabián Zárate recibirá el premio en el marco del Simposio sobre Tecnología en Microelectrónica y Dispositivos (SBMicro), que se llevará a cabo del 29 de agosto al 2 de septiembre en Belo Horizonte, Brasil.